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Espectrómetro óptico SXES
de rayos XCCDde mesa

Espectrómetro óptico - SXES - Jeol - de rayos X / CCD / de mesa
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Características

Tipo
óptico, de rayos X
Tipo de detector
CCD
Configuración
de mesa
Otras características
de alta sensibilidad, de resolución ultra alta
Ancho

168 mm
(6,6 in)

Alto

683 mm
(26,9 in)

Peso

25 kg
(55,1 lb)

Descripción

El Espectrómetro de Emisión de Rayos X Suaves (SXES) es un espectrómetro de resolución ultra alta compuesto por una rejilla de difracción de nuevo desarrollo y una cámara CCD de rayos X de alta sensibilidad. Al igual que el EDS, es posible la detección paralela y realizar análisis de resolución energética ultraalta de 0,3 eV (borde de Fermi, norma Al-L), superando la resolución energética del WDS. Esquema del sistema El nuevo diseño del sistema óptico del espectrómetro permite la medida simultánea de espectros con diferentes energías, sin mover la rejilla de difracción o el detector (CCD). Con la alta resolución energética, se puede realizar un mapeo del análisis del estado químico. Comparación de SXES, WDS y EDS Espectros de nitruro de titanio con varios métodos de espectrometría En el caso del nitruro de titanio, los picos de N-Kα y Ti-Ll se superponen. Incluso con WDS, es necesaria la deconvolución de la forma de onda mediante un método matemático. Como se ilustra en la figura siguiente, existe una alta resolución energética con SXES, lo que permite observar TiLl. Ejemplo de análisis de una batería de iones de litio (LIB) El ejemplo siguiente muestra mapas de grandes áreas de muestras de LIB con diferentes estados de carga. SXES puede cartografiar el pico Li-K tanto en el estado de banda de valencia (izquierda) como en el estado básico (centro). Un mapa de distribución de carbono (derecha) también puede ver la función en la LIB que está totalmente descargada. Ejemplo de medición de elementos ligeros Mediciones de compuestos de carbono mediante SXES Es posible medir las diferencias entre el diamante, el grafito y los polímeros. Las diferencias pueden observarse con los picos adicionales de enlace π y σ. Como el mapeo toma un espectro de cada píxel, pueden generarse mapas adicionales para desplazamientos de pico de 1 eV y picos de hombro.

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