Este módulo de proceso ICPCVD está diseñado para producir películas de alta calidad a bajas temperaturas de crecimiento, gracias a plasmas remotos de alta densidad que consiguen una calidad de película superior con un bajo daño del sustrato.
Excelente uniformidad, alto rendimiento y procesos de alta precisión
Películas de alta calidad
Electrodo de amplio rango de temperaturas
Compatible con todos los tamaños de oblea de hasta 200 mm
Cambio rápido entre tamaños de oblea
Bajo coste de propiedad y facilidad de mantenimiento
Diseño compacto y flexible
Electrodos calentados por resistencia con capacidad de hasta 400°C o 1200°C
Limpieza in situ de la cámara y punto final
Módulo flexible de suministro de vapor que permite la deposición de películas utilizando precursores líquidos, por ejemplo, TiO2 utilizando TTIP, SiO2 utilizando TEOS
Aplicaciones
Películas de excelente calidad y bajo daño a temperaturas reducidas.
Los materiales típicos depositados incluyen SiO2, Si3N4 y SiON, Si y SiC a temperaturas de sustrato tan bajas como 5ºC
Tamaños de fuente ICP de 65 mm, 180 mm y 300 mm que proporcionan uniformidad de proceso
hasta obleas de 200 mm
Electrodos disponibles para rangos de temperatura de 5ºC a 400ºC
Tecnología patentada de distribución de gas ICPCVD
Limpieza de la cámara in situ con endpointing
Módulo flexible de suministro de vapor que permite la deposición de películas utilizando precursores líquidos, por ejemplo, TiO2 utilizando TTIP, SiO2 utilizando TEOS
El calentamiento de la pared reduce la deposición en la pared de la cámara
La refrigeración trasera por helio con sujeción mecánica garantiza la uniformidad de la temperatura de las obleas y la optimización de las propiedades de las películas
Asistencia mundial al cliente
Oxford Instruments se compromete a proporcionar un servicio global de atención al cliente completo, flexible y fiable. Ofrecemos un servicio de excelente calidad durante toda la vida útil de su sistema.
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