Los sistemas FIB-SEM se han convertido en una herramienta indispensable para la caracterización y el análisis de las últimas tecnologías y los materiales a nanoescala de alto rendimiento. Una demanda cada vez mayor de láminas TEM ultrafinas sin artefactos durante el procesamiento FIB requiere lo mejor en tecnologías ópticas de iones y electrones.
El sistema de FIB de alto rendimiento y SEM de alta resolución NX2000 de Hitachi, con sus exclusivas tecnologías de control de la orientación de la muestra* y de triple haz*, permite la preparación de muestras de TEM de alto rendimiento y alta calidad para aplicaciones de vanguardia.
* Opción
Características
La detección de punto final SEM de alto contraste y en tiempo real permite la preparación de muestras TEM ultrafinas de dispositivos de menos de 20 nm.
El micromuestreo* y el mecanismo de posicionamiento de alta precisión* permiten el control de la orientación de la muestra para los efectos anticurtiformes (función ACE) y las láminas de grosor uniforme.
Sistema de triple haz* Configuración de triple haz para la reducción de daños inducidos por Ga FIB.
Especificaciones
Columna FIB
Tensión de aceleración - 0,5 kV - 30 kV
Corriente del haz - 0,05 pA - 100 nA
Columna FE-SEM
Tensión de aceleración - 0,5 kV - 30 kV
Fuente de electrones - Fuente de emisión de campo de cátodo frío
Detector
Detector estándar - SED superior/inferior y BSED
Etapa - X: 0 - 205 mm
Y: 0 - 205 mm
Z: 0 - 10 mm
R: 0 - 360° infinito
T: -5 - 60°
Accesorios especiales (Opcional)
Iones Ar/Xe 3ª columna
Sistema de micromuestreo
Sistema de inyección multigas
Sistema de doble inclinación
Función de oscilación (para la 3ª columna de iones Ar/Xe)
Asistente de preparación de muestras TEM
Software automático de preparación de muestras TEM
Software de navegación CAD
Software de vinculación con instrumentos de inspección de defectos
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