Microscopio electrónico SEM SU9600

STEMFE-SEMelectrónico de barrido

Resumen
El SU9600 es un microscopio electrónico de barrido modular optimizado para transmisión, diseñado para el análisis avanzado de nanomateriales, materiales 2D y semiconductores. Integra UHR-SEM y capacidades de STEM analítico en una plataforma de alta estabilidad, con módulos opcionales 4D-STEM, EELS y nano-EDS para estudios multimodales.

Lema
El SEM optimizado para transmisión para el análisis avanzado de nanomateriales

Puntos clave

• Combina funciones de STEM analítico y UHR-SEM en una única plataforma estable
• Imagen de ultraalta resolución desde 10 V hasta 30 kV para estudios de superficie y estructura
• Cañón de emisión de campo frío (CFE), lente de objetivo de inmersión total y platina tipo TEM que permiten resolución de primer nivel (0,34 nm garantizado, ~0,2 nm alcanzable)

Capacidades y beneficios

• Detección de electrones reflejados y transmitidos con filtrado energético y angular
• Correlacione información de superficie (SE/BSE) con información de electrones transmitidos (BF/ADF/EELS/4D-STEM)
• Análisis elemental sub-nm mediante EDS sin ventana y gran ángulo sólido
• EELS y 4D-STEM permiten investigar estructura electrónica, enlaces y deformaciones; CFE mejora la resolución energética para EELS
• Cámara 4D-STEM de detección directa opcional con lente proyector para DPC, ptychography, mapeo de esfuerzo y fase
• Entorno de muestra flexible: portamuestras criogénicos, portamuestras MEMS, portamuestras de deceleración y portamuestras TEM de doble inclinación (opciones)

Aplicaciones

• Nanomateriales: mapeo elemental a escala nanométrica, imagen de redes y granos, distribución elemental en nanohilos
• Películas delgadas: morfología de superficie, estructura de granos y análisis de orientación en sección transversal
• Análisis elemental: mapeo EDS de alta resolución y EELS a baja energía para estado de oxidación y estructura electrónica
• Semiconductores: imágenes de alta resolución y análisis por electrones transmitidos para análisis de dispositivos y fallos

Notas

• Las funciones marcadas con * son opcionales (4D-STEM, EELS, nano-EDS, portamuestras).
• Los modos avanzados (p. ej., portamuestras de deceleración / detector superior) son opcionales y pueden afectar el rendimiento de la tensión de aterrizaje.

Especificaciones / datos técnicos

• Resolución imagen SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ tensión de aterrizaje de 1 kV (*1)
• Resolución imagen STEM: 0,34 nm @ 30 kV (imagen de red) (*2)
• Tensión de aceleración: 0,5 a 30 kV
• Tensión de aterrizaje (*1): 0,01 a 20 kV
• Desplazamiento eléctrico de imagen: hasta ±5 µm (Altura de muestra = 0,0 mm)
• Recorrido de la platina: X: ±4,0 mm; Y: ±2,0 mm; Z: ±0,3 mm; T (inclinación): ±40°
• Tamaño de muestra - Platina plana (Max.): 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H)
• Tamaño de muestra - Platina para sección transversal (Max.): 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H)
• Fuente de electrones: emisión de campo frío (alta brillo, baja aberración cromática) con opción NEG para mejorar rendimiento EELS
• Detectores y análisis: detección de electrones reflejados y transmitidos, filtrado energía/ángulo, EDS sin ventana gran ángulo sólido, EELS, 4D-STEM (opcional), cámara 4D-STEM de detección directa (opcional)
• Notas: *1 Con porta-muestras de deceleración y detector superior opcionales. *2 Opción.