video corpo

Sistema de producción PlasmaPro 100 PECVD

sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
sistema de producción
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
 

Descripción

El sistema PlasmaPro 100 PECVD está diseñado específicamente para producir películas de alta calidad con una excelente uniformidad y control de las propiedades de la película, como el índice de refracción, la tensión, las características eléctricas y la velocidad de grabado químico húmedo. Nuestro vanguardista sistema Plasma Enhanced CVD es adecuado para la pasivación de películas dieléctricas (por ejemplo, SiO2, SixNy), carburo de silicio, silicio amorfo, deposición de máscaras duras y revestimientos antirreflectantes. Películas de alta calidad, alto rendimiento, excelente uniformidad Deposición por plasma de alta densidad y baja presión Excelente control del índice de refracción y la tensión Compatible con tamaños de oblea de hasta 200 mm Cambio rápido entre tamaños de oblea Bajo coste de propiedad y facilidad de mantenimiento Electrodos calentados por resistencia con capacidad de hasta 400°C a 1200°C Limpieza in situ de la cámara y punto final Vista general PlasmaPro 100 PECVD ofrece una excelente deposición conforme y una baja generación de partículas gracias a la uniformidad de la temperatura del electrodo y al diseño de la cabeza de ducha en el electrodo, que permite que la energía de RF produzca el plasma. Las especies reactivas de alta energía del plasma ofrecen altas tasas de deposición para lograr el espesor deseado del sustrato manteniendo una baja presión. Su doble frecuencia de 13,56MHz y 100KHz de potencia aplicada al electrodo superior permite el control de la tensión y la densificación de la película. Características Suministra especies reactivas al sustrato, con una trayectoria uniforme de alta conductancia a través de la cámara permite utilizar un alto flujo de gas manteniendo una baja presión El cabezal de ducha alimentado por RF con suministro de gas optimizado proporciona un procesamiento de plasma uniforme con conmutación LF/RF que permite un control preciso de la tensión de la película La alta capacidad de bombeo proporciona una amplia ventana de presión de proceso

---

Catálogos

No hay ningún catálogo disponible para este producto.

Ver todos los catálogos de Oxford Instruments
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.