Sistema de producción PlasmaPro 100 ALE

PlasmaPro 100 ALE ofrece un control preciso del proceso de grabado para dispositivos semiconductores de última generación. Especialmente diseñado para procesos como el grabado en hueco para aplicaciones HEMT de GaN y el grabado de capas a nanoescala, el proceso de grabado digital/ciclico del sistema ofrece superficies lisas y poco dañadas. Proceso de grabado digital/ciclico - equivalente de grabado ALD Bajo nivel de daños Superficie de grabado lisa Excelente control de la profundidad de grabado Ideal para el grabado de capas a nanoescala (por ejemplo, materiales 2D) Amplia gama de procesos y aplicaciones Características A medida que las capas se hacen más finas para permitir la próxima generación de dispositivos semiconductores, existe la necesidad de un control de procesos cada vez más preciso para crear y manipular estas capas. El PlasmaPro 100 ALE lo consigue mejorando nuestra plataforma Cobra ICP con hardware especializado para el grabado de capas atómicas. Suministra especies reactivas al sustrato, con una trayectoria uniforme de alta conductancia a través de la cámara - Permite utilizar un flujo de gas elevado manteniendo una presión baja Electrodo de altura variable - Utiliza las características tridimensionales del plasma y admite sustratos de hasta 10 mm de grosor a una altura óptima Electrodo de amplio rango de temperaturas (-150°C a +400°C) que puede enfriarse con nitrógeno líquido, un refrigerador de recirculación de fluidos o calentarse por resistencia - Una unidad opcional de soplado e intercambio de fluidos puede automatizar el proceso de cambio de modos Electrodo controlado por fluido alimentado por una unidad de refrigeración de recirculación - Excelente control de la temperatura del sustrato Cabezal de ducha alimentado por RF con suministro de gas optimizado - Proporciona un procesamiento de plasma uniforme con conmutación LF/RF que permite un control preciso de la tensión de la película Alta capacidad de bombeo - Proporciona una amplia ventana de presión de proceso