Sistema de producción PlasmaPro 100 Estrelas

La plataforma PlasmaPro 100 Estrelas está diseñada para ofrecer una flexibilidad total en las aplicaciones de grabado iónico reactivo profundo (DRIE), atendiendo a un conjunto diverso de requisitos de proceso en los mercados de los sistemas microelectromecánicos (MEMS), el embalaje avanzado y la nanotecnología. Desarrollado para la investigación y la producción en serie, el PlasmaPro 100 Estrelas ofrece la máxima flexibilidad con procesos Bosch y criogénicos. Alta velocidad de grabado y alta selectividad con procesos Bosch Procesos de pared lateral lisa y alta relación de aspecto Perfil (vertical) altamente anisotrópico Baja velocidad, baja potencia para grabado de nanosilicio y control de muescas (SOI) Grabado de vías cónicas Amplia gama de aplicaciones Sujeción mecánica o electrostática (compatibilidad de sustratos) Reproducibilidad mejorada Aumento del tiempo medio entre limpiezas (MTBC) Resumen La técnica DSiE o Deep Reactive Ion Etching (DRIE) combina el grabado isotrópico del silicio y los pasos de pasivado repetidamente para obtener perfiles anisotrópicos. Utilizando una fuente de plasma de alta densidad y una rápida capacidad de conmutación de gases, esta técnica permite conseguir verticalidad en los perfiles, paredes laterales lisas y altas velocidades de grabado con una gran selectividad para los materiales de enmascaramiento. Desde los procesos de paredes laterales lisas hasta los grabados de cavidades de alta velocidad y los procesos de alta relación de aspecto hasta los grabados de vías cónicas, la PlasmaPro 100 Estrelas se ha diseñado para garantizar que la amplia gama de aplicaciones en MEMS, envasado avanzado y nanotecnología pueda realizarse sin necesidad de cambiar el hardware de la cámara. Se pueden realizar nano y microestructuras, ya que el hardware se ha diseñado con la capacidad de ejecutar las tecnologías de grabado Bosch™ y Cryo en la misma cámara.