El sistema de grabado ICP RIE PlasmaPro 100 Polaris para una oblea ofrece soluciones inteligentes para obtener los excelentes resultados de grabado que necesita para mantener su ventaja competitiva. Con una amplia experiencia en el grabado de materiales como GaN, SiC y zafiro, nuestras tecnologías permiten obtener el coste de propiedad y el rendimiento necesarios para maximizar el rendimiento de sus dispositivos.
Excelente velocidad de grabado
Bajo coste de propiedad
Diseñado específicamente para productos químicos agresivos
Excelente uniformidad de grabado
Exclusiva tecnología de sujeción electrostática capaz de sujetar zafiro,
GaN sobre zafiro y silicio
Sistema de bombeo de alta conductancia
Agrupable con otros sistemas PlasmaPro
Características
El sistema PlasmaPro 100 Polaris de grabado de obleas individuales ofrece soluciones inteligentes para producir los resultados de grabado que usted necesita para mantener su ventaja competitiva.
Diseñado específicamente para los productos químicos agresivos necesarios para el grabado de materiales duros como GaN, zafiro y SiC, el PlasmaPro 100 Polaris ofrece velocidades de grabado rápidas y uniformes en obleas de hasta 200 mm de diámetro.
Electrodo enfriado activamente - Mantiene la temperatura de la muestra durante el proceso de grabado
Fuente ICP de alta potencia - Produce plasmas de alta densidad
Hardware fiable y fácil mantenimiento - Excelente tiempo de funcionamiento
Espaciador magnético - Mayor control y uniformidad de los iones
Exclusiva tecnología de sujeción electrostática - Capaz de sujetar zafiro, GaN sobre zafiro y silicio
Revestimientos calefactados de la cámara: optimizados para reducir la deposición en la pared de la cámara
Unidad de adaptación automática avanzada (AMU): permite una adaptación rápida, eficaz y precisa, lo que permite una excelente repetibilidad del proceso
Aplicaciones
Dispositivo de RF SiC Grabado de vías
Dispositivo semiconductor de potencia Grabado de SiC
Grabado HBLED GaN
Dispositivo RF Grabado GaN
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